10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)布《關于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復的函》，稱下一步將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展，根據(jù)產業(yè)發(fā)展形勢，調整完善政策實施細則，更好的支持產業(yè)發(fā)展。

積極研究出臺政策扶持

答復函中提及，為推動中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展，工信部、發(fā)展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產業(yè)發(fā)展。

下一步，工信部及相關部門將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展，根據(jù)產業(yè)發(fā)展形勢，調整完善政策實施細則，更好的支持產業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產業(yè)鏈合作力度，深入推進產學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)的技術迭代和應用推廣。

答復函中還提及，工信部與相關部門積極支持國內企業(yè)、高校、研究院所與先進發(fā)達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發(fā)團隊，推動包括工業(yè)半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產業(yè)人才來華發(fā)展，提升中國在工業(yè)半導體芯片相關領域的研發(fā)能力和技術實力。

下一步，工信部和相關部門將繼續(xù)加快推進開放發(fā)展。引導國內企業(yè)、研究機構等加強與先進發(fā)達國家產學研機構的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵中國企業(yè)引進國外專家團隊，促進中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)研發(fā)能力和產業(yè)能力的提升。

推動中國芯片制造領域良率、產量提升

工信部回復稱，為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，工信部等相關部門積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。

一是2017年工信部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產及IDM、上游材料、生產設備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關產業(yè)的發(fā)展。

二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設，整合產業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。

三是指導中國寬禁帶半導體及應用產業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術與產業(yè)發(fā)展路線圖(2018-2030)》，引導我國IGBT行業(yè)技術升級，推動相關產業(yè)發(fā)展。

下一步，工信部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導體領域成熟技術發(fā)展，推動中國芯片制造領域良率、產量的提升。積極部署新材料及新一代產品技術的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產業(yè)的發(fā)展。

積極推動相關產業(yè)人才培養(yǎng)

工信部表示，當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵因素，為此工信部及相關部門積極推動中國相關產業(yè)人才的培養(yǎng)。?

一是工信部、教育部共同推動籌建集成電路產教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進產業(yè)界和學術界的資源整合，推動培養(yǎng)擁有工程化能力的產業(yè)人才。

二是同時以集成電路為試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學和國內骨干企業(yè)，針對性地培養(yǎng)一批高端博士人才。

三是教育部、工信部等相關部門印發(fā)了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區(qū)域內集成電路領域骨干企業(yè)、國家公共服務平臺、科技創(chuàng)新平臺、產業(yè)化基地和地方政府等加強合作。

工信部表示，下一步，與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。