近日，中科院蘇州納米所印刷電子中心蘇文明研究團(tuán)隊(duì)基于混合式印刷增材制造技術(shù)，優(yōu)化壓印模具結(jié)構(gòu)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了2∶1深寬比和4μm線寬的凹槽結(jié)構(gòu)，再結(jié)合刮填薄層納米銀油墨的種子層，用電籌沉銅技術(shù)在凹槽中填滿致密的銅。由于電沉積過程金屬銅完全限制在凹槽中只能單向生長，避免了擴(kuò)線，從而獲得高深寬比的銅網(wǎng)格，因而在不影響光透過率的情況下增加了金屬網(wǎng)格的厚度，同時電鍍的網(wǎng)格具有銅本征的高電導(dǎo)率，最終在86%的高透光率下，方塊電阻低至0.03Ω/，F(xiàn)OM值超過80000（FOM是透明導(dǎo)電膜的綜合質(zhì)量因素，指光透過與方阻的比值，如ITO的FOM<300）。

 　　透明導(dǎo)電膜在高透光下同時具有導(dǎo)電性，是光電領(lǐng)域中不可或缺的重要工業(yè)基礎(chǔ)材料。隨著光電子器件逐漸向大尺寸、輕薄、柔性、低成本方向發(fā)展，對高性能的柔性及可拉伸透明導(dǎo)電膜的需求增長迅速。

 　　當(dāng)前廣泛使用的透明導(dǎo)電材料主要為ITO膜或玻璃，但因方阻較高、脆性結(jié)構(gòu)限制了其在柔性光電器件上的使用；而新發(fā)展的基于導(dǎo)電聚合物、碳材料和金屬納米材料的柔性透明導(dǎo)電膜，普遍存在導(dǎo)電性和透過率相互制約的問題，在85%以上的透過率下方阻通常在數(shù)十歐每方塊以上。

 　　基于銅箔黃光制程蝕刻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜具有高導(dǎo)高透的優(yōu)點(diǎn)受到了行業(yè)廣泛關(guān)注，但工藝復(fù)雜，酸蝕刻工藝與銅離子造成的污染及其高成本也不容忽視。中科院蘇州納米所崔錚研究員領(lǐng)導(dǎo)的印刷電子研究團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了印刷增材制造的嵌入式銀網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，透過率和導(dǎo)電性可以獨(dú)立調(diào)節(jié)，在85%以上透過率下方阻低于10Ω/，已成功應(yīng)用在觸摸屏上并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，曾榮獲2014年中國專利金獎。

 　　為進(jìn)一步推廣印刷金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜在透明導(dǎo)磁屏蔽、電加熱膜、透明5G天線等更廣領(lǐng)域的應(yīng)用，如何進(jìn)一步在高透過率下大幅度提升導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性能成為團(tuán)隊(duì)的重要研究目標(biāo)。