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新技術(shù)可讓金屬鉑“化身”半導(dǎo)體

2018年08月17日 8:50 4821次瀏覽 來源:   分類: 新材料前沿   作者:

  日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn),金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。研究人員認為,這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對于半導(dǎo)體材料的傳統(tǒng)認知,有助于推動相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展。
  傳統(tǒng)意義上,金屬和半導(dǎo)體被嚴(yán)格區(qū)分,金屬一般導(dǎo)電性能好,而半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間,導(dǎo)電性可受控制。用硅等常見半導(dǎo)體材料制造的晶體管廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
  京都大學(xué)研究小組發(fā)現(xiàn),在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,它可以像半導(dǎo)體一樣,通過外部電壓控制電阻。
  此外,研究人員還發(fā)現(xiàn)鉑能夠大幅調(diào)節(jié)和控制“自旋軌道耦合”這一效應(yīng)。“自旋軌道耦合”是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用,在自旋電子學(xué)等研究中扮演關(guān)鍵角色。半導(dǎo)體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應(yīng)。

責(zé)任編輯:淮金

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